B型剩余电流断路器测试仪（以下简称测试仪）是为剩余电流断路器的性能测试而研制，它是检测B型剩余电流断路器脱扣电流和分断时间的关键仪器。

测试仪适用于电子式和电磁式的剩余电流断路器。1P+N、2P、、+N、4P的断路器均能测试，输出大剩余电流为2A。

系统显示和操作采用流行的工业级触摸屏，操作简单；

接地方式：可靠接地

  测试仪输出的电流值为真有效值，测试不确定度小于1%；

（2）50Hz交流剩余电流范围：0~2A；

选项角为0°的脉动直流剩余电流，电流的范围为0~800mA；

选项角为135°的直流剩余电流，电流的范围为0~200mA；

（5）叠加平滑直流的范围为5~100mA；

 先测试出可控硅的峰值电压，将电线正负极连接至K两极，接地线接至室内主接地上，逐渐升压，测试其漏电流数值。进行漏电测试后，逐渐升压，观测漏电流，当数值超过其额定峰值电压后，可控硅被击穿，但采用此方法可能会破坏其PN结，并且只能测试其是否导通，而不能测试其导通是否良好，故不再采用此法进行测试。摇表测试法用摇表对可控硅进行测量，参照之前使用的漏电检测法。为防止摇表法测试过程中击穿或损坏可控硅，改变摇表操作方法，即要对摇表电压和转速进行控制，两笔端链接K极对其进行测试。LTE测试虽进步显著未来仍面临三重关互操作测试任务仍艰巨三大运营商3G网络已完成大规模建设，新部署的LTE网络在较长时期内难以达到2G/3G网络的覆盖广度和深度，且VoLTE目前还不够成熟，因此LTE与2G/3G网络不能孤立运行，必须通过互操作来保证业务在网络之间的连续性。LTE与2G/3G的互操作包括语音互操作和数据互操作。以移动为例，对于数据互操作，不仅要求TD-LTE与TD-SCDMA之间实现空闲态的双向重选、连接态的双向重定向，还要求TD-LTE与GSM网间实现互操作以保证业务连续性，复杂的切换场景对测试工作而言是艰巨的挑战。关于MOSFET很多人都不甚理解，这次小编再带大家仔细梳理一下，也许对于您的知识系统更加。下面是对MOSFET及MOSFET驱动电路基础的一点总结，其中参考了一些资料。在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，电压等，电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是的，作为正式的产品设计也是不允许的。